IT之家3月17日音信，三星电子在当天举行的NVIDIAGTC2026大会上，全面展示了其在AI筹商领域的时候布局。
当作专家独逐个家大约提供涵盖内存、逻辑、晶圆代工及先进封装在内的好意思满AI治理决策的半导体厂商，三星这次展出了从高性能内存到面向个东谈主修复的低功耗治理决策的全系产物。
在个东谈主修复领域，三星展示了针对土产货AI使命负载优化的内存治理决策，包括为NVIDIADGXSpark配备的三星PM9E3和PM9E1NAND产物。
三星还展出了面向高端智高东谈主机、平板电脑和可衣服修复的LPDDR5X和LPDDR6DRAM治理决策。其中，LPDDR5X每引脚速率最高可达25Gbps，同期功耗镌汰15%。在此基础上，LPDDR6将带宽进一步晋升至每引脚30-35Gbps，并引入自顺应电压救援和动态刷新甩手等高等电源料理功能，为下一代端侧AI使命负载提供性能维持。
本次展会的中枢亮点是三星第六代HBM4内存。该产物现已干涉量产阶段，专为NVIDIAVeraRubin平台想象。据先容，三星HBM4大约提供11.7Gbps的隆重处理速率，当先业界圭表的8Gbps，并可进一步晋升至13Gbps。通过采用首先进的第六代10nm级DRAM工艺，三星罢了了隆重的良率和当先的性能推崇。
更值得改换的是，三星当天还初度展示了其下一代HBM4E内存。该产物每引脚传输速率可达16Gbps，真钱投注app带宽高达4.0TB/s。此外，三星还展出了其搀杂铜键合（HCB）时候，这项新时候将使下一代HBM大约罢了16层或更多堆叠，同期与热压键合比拟镌汰20%以上热阻。
三星还在展台上特设了“NVIDIA画廊”，合并展示两边深度妥洽的效果，排列着为英伟达AI产物量身打造的一系列前沿时候产物，包括HBM4、SOCAMM2以及PM1763SSD。
三星SOCAMM2基于低功耗DRAM想象，是一款针对下一代AI基础设施优化的工作器内存模块，兼具高带宽和活泼的系统集成智力。三星已罢了该产物的量产，成为业内首家达成这一里程碑的企业。
另外，面向下一代AI存储治理决策的三星PM1763SSD采用最新的PCIe6.0接口，提供高速数据传输和大容量存储。该产物将在基于NVIDIASCADA编程模子的工作器上进行现场演示。此外，当作NVIDIAVeraRubin平台加快存储基础设施参考架构的一部分，三星PM1753SSD也将展示其在推理使命负载中晋升能效和系统性能的智力。
三星还在GTC2026上展示了其与NVIDIA在AI工场开拓方面的妥洽效果。两边规划引入NVIDIA加快筹商时候，以膨胀三星的AI工场边界，并加快基于NVIDIAOmniverse库的制造数字孪生落地投注pp，涵盖内存、逻辑、晶圆代工和先进封装各措施。
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